Mówiąc o pamięci roboczej komputera, na pierwszy plan wysuwa się pojęcia pamięci DRAM. Skrót ten pochodzi z języka angielskiego i znaczy Dynamic Random Access Memory. Każda komórka pamięci DRAM w rzeczywistości składa się z kondensatora oraz tranzystora. Dlatego też pamięć DRAM umożliwia uzyskanie bardzo wysokiego stopnia integracji wielu przyrządów półprzewodnikowych na bardzo małej powierzchni.
Architektura tego typu pamięci posiada jednak znaczną wadę. Każda informacja zapisana w pamięci dynamicznej jest przechowywana w kondensatorach o bardzo małej pojemności, które dosyć szybko tracą zgromadzony na swoich okładkach ładunek. Fakt ten wymaga od projektantów pamięci zaimplementowania układu ciągłego odświeżania zawartości pamięci DRAM. Pojedyncza komórka pamięci może być adresowana w dwóch etapach. Na początku wybiera się adres wiersza, jest to cykl RAS - Row Adress Strobe. Kolejnym etapem jest cykl adresowania kolumny, który nosi nazwę cyklu CAS - Colum Adress Strobe. Kiedy odpowiednie adresy pamięci zostaną zaadresowane przez procesor komputera, możliwe staje się dokonanie zapisu lub odczytu interesującej nas informacji, zależnie od tego jaką wartością logiczną cechuje się dany sygnał zapisu lub odczytu.
Jedną z odmian pamięci DRAM jest FPM - DRAM. FPM wzięło swoją nazwę od angielskiej nazwy Fast Page Mode. Pamięć tego typu była wykorzystywana jako pamięć SIMM w starych komputerach 486 oraz Pentium. Charakterystycznym dla układów FPM - DRAM jest znacznie szybszy dostęp do pamięci, w porównaniu z klasycznymi modułami DRAM. Adres wiersza RAS, czyli adres strony wybierany jest tylko raz, o ile interesujące nas komórki pamięci znajdują się w ramach tej samej strony pamięci. Wybierane za każdym razem są jedynie kolumny, co w rezultacie znacznie skraca czas operacji na pamięci.
Budowa pamięci EDO - DRAM, czyli Extended Data Out DRAM, przypomina bardzo budowę pamięci FPM - DRAM. Jedyną różnicą jest w przypadku pamięci EDO - DRAM jest odczytywanie informacji, które pozostają na magistrali również wtedy, kiedy sygnał CAS nie jest już aktywny. Taki mechanizm buforowania procesora może w trakcie odczytu danych generować następny adres. To rozwiązanie umożliwia zazwyczaj zaoszczędzenie jednego lub dwóch taktów zegara, ale może być także wykorzystywane przy operacjach odczytu.
Kolejną odmianą pamięci DRAM jest Burst - EDO - DRAM, która cechuje się jeszcze większą prędkością. Swego czasu możliwe było wykorzystywanie jej jedynie w nowoczesnych płytach głównych komputerów wyposażonych w nowe procesory Pentium. Zaprzestano adresowania pojedynczych komórek pamięci roboczej na korzyść zapisywania oraz odczytywania danych pogrupowanych w pakiety, które fachowo znane są pod nazwą Burst. Zazwyczaj pojedynczy pakiet Burst składa się z czterech słów podwójnych, liczy więc 4 x 32 bity. Bardzo szybki dostęp do pamięci możliwy jest jedynie dzięki temu, że Burst EDO - DRAM może wyręczać procesor w procesie adresowania adresów kolumn, zarówno w czasie zapisu jak i odczytu danych. Tak wielka różnorodność spotykanych na rynku modułów pamięci nie powinna nas przerażać. Obecnie każdy z nas ma do czynienia z układami pamięci typu DDRAM i różnymi ich odmianami.
