W dniu dzisiejszym pamięć flash stała się przyczyną małej rewolucji w budowie układów elektronicznych. Jej główne zalety to nielotność informacji, możliwość wielokrotnego zapisywania nowych informacji, a także duża pojemność. Firmą, która stoi na czele tej rewolucji jest AMD, pamięci flash, które ta firma produkuje wyposażone są w wiele innowacyjnych funkcji, jak zmniejszony pobór mocy oraz możliwość umieszczenia w bardzo małych obudowach. AMD każdej ze swoich pamięci flash daje gwarancję obejmującą milion bezawaryjnych zapisów informacji na sektor, a także 20 lat nielotności danych, dlatego pamięci tej firmy są najbardziej niezawodne w branży. Wszystkie pamięci typu flash produkowane przez firmę AMD spełniają surowe wymagania QS90000.
AMD ma w swojej ofercie różnorodne pamięci flash na przykład, wielokrotnie nagradzana rodzina kości pamięci, które umożliwiają jednoczesny odczyt danych i ich zapis, zwany SRW - Simultaneus Read - Write. Moduły potrafią pracować już przy napięciu 1,8V.
Inny rodzaj pamięci flash z asortymentu firmy AMD, to pamięci o bezpośrednim dostępie seryjnym i stronicowym, które mogą pracować w trybie seryjnym, oraz stronicowym, tak zwane Burst and Page Mode.
Technologie MirrorBit, którą opracowała firma AMD jest przełomem w architekturze komórek modułów flash, zapewniając użytkownikom pamięć flash o wielkiej pojemności. MirrorBit wręcz gwarantuje niezawodność, a przy tym zachowana jest całkowita kompatybilność złączy z rodziną 3V modułów AMD, takich jak am29LV.
Pamięć typu flash jest rodzajem pamięci EEPROM, w którym możliwe jest zapisywanie i kasowanie zawartości wielu komórek pamięci naraz. Zwykle EEPROMy nie pozwalają na zapis więcej niż jednej komórki pamięci jednocześnie, co powoduje wielokrotnie zmniejszoną prędkość zapisu w porównaniu z młodszymi pamięciami typu flash. Moduły pamięci flash stopniowo, aczkolwiek bardzo wolno zużywają się wraz z wielokrotnymi operacjami czyszczenia i zapisu.
Pamięć flash jest produkowana w dwóch rodzajach: NAND i NOR. Nazwy tych rodzajów pochodzą od typu użytej bramki logicznej z której zbudowana jest każda z komórek pamięci.
Pierwszym opracowanym rodzajem pamięci była pamięć flash oparta na bramkach NOR. Prototyp przedstawiła w roku 1988 firma Intel. Czas zapisu i czyszczenia tego rodzaju pamięci jest dosyć długi, jednak posiada w swoim standardzie pełny interfejs dostępu do danych oraz adresowania, co pozwala na bardzo szybki odczyt dowolnej komórki pamięci. Pamięć ta jest z tego powodu dobra do przechowania różnego typu programów, nie wymagających częstych aktualizacji, na przykład oprogramowanie aparatu cyfrowego lub notatnika elektronicznego. Flash oparty na NOR w zależności od wersji pozwala uzyskać od 10 do 100 tysięcy bezawaryjnych cykli zapisu. Przy użyciu tej pamięci wykorzystywano starsze formy wymiennej pamięci flash, jak Compact Flash czy SmartMedia.
Pamięci flash typu NAND, które opracowano w roku 1989 w firmie Toshiba, w porównaniu do pamięci flash typu NOR, posiadają znacznie krótszy czas zapisu i czyszczenia oraz wytrzymałość dziesięciokrotnie większą. Dodatkowymi zaletami jest zwiększona gęstość upakowania informacji, a co za tym idzie zmniejszony koszt jednego bita danych. Interfejs tej pamięci zapewnie jedynie sekwencyjny dostęp, przez co jest wykorzystywana w różnego rodzajach pamięciach masowych, w kartach PCMCIA oraz kartach pamięci wykorzystywanych w aparatach fotograficznych oraz MP3 - playerach. Pamięć ta nie sprawdza się jednak zbyt dobrze jako pamięć operacyjna komputera PC. Bazując na pamięciach flash typu NAND powstało obecnie wiele form przenośnej pamięci takich jak: MMC, Memory Stick oraz Secure Digital, pamięci te posiadają małe rozmiary. Pamięć flash jest powszechnie wykorzystywana jako pamięć przenośna podłączana przez USB.
Pamięć flash stanowi odmianę pamięci EEPROM, co oznacza Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory. Zapis i kasowanie tej pamięci odbywają się poprzez podanie odpowiedniego sygnału elektrycznego. W przeciwieństwie do standardowych pamięci EEPROM, pamięć flash można bardzo szybko kasować, stąd też wzięła się nazwa tego typu pamięci.
Komórka pamięci flash przypomina swoją budową tranzystor polowy, posiada jednak dwie bramki: zwykłą bramkę sterującą i dodatkową bramkę pływającą. Po wybraniu komórki do odczytu, bramka jest podłączana do linii słowa pamięci, i do bramki sterującej jest doprowadzane napięcie. Bramka pływająca nie posiada bezpośredniego wyprowadzenia, o przepływie prądu przez tranzystor decyduje zatem ładunek tej bramki. Ładunek ten ma bezpośredni wpływ na napięcie progowe UT. Jeżeli napięcie progowe na bramce zostaje przekroczone to tranzystor zaczyna przewodzić.
Dyski, które zostały wykonane w technice flash, są w pełni kompatybilne z tradycyjnymi, mechanicznymi dyskami twardymi. Ich wymiary są podobne jak w przypadku dysków 2,5 calowych. Dyski flash wykorzystuje się zwłaszcza w sytuacjach, w których tradycyjne dyski wykazują niedostateczną odporność na uszkodzenia. Dyski tego rodzaju o pojemnościach 32MB - 4GB są produkowane najczęściej. Zasilanie to zazwyczaj 3,3V lub 5V, przykładowo dysk zasilany napięciem 3,3V pobiera 70mW mocy, podczas gdy dysk mechaniczny pobiera 3W mocy. Czas rozpoczęcia zapisu danych jest równy 2,5ms, natomiast rozpoczęcie odczytu danych jest równe 50ms. Zakres temperatur w których możliwa jest praca dysków flash wynosi od -45°C do -85°C. Dyski te charakteryzują się wysokimi wartościami średniego czasu występującego pomiędzy dwoma uszkodzeniami, który kształtuje się na poziomie miliona godzin. Możliwa jest poprawna praca dysku flash w szerokim zakresie wilgotności, mianowicie od 8% do 95%. Jak zostało powiedziane dyski typu flash wypadają znacznie lepiej od tradycyjnych dysków magnetycznych, charakteryzują się mniejszym czasem dostępu, mniejszym poborem energii, cichą pracą, wytrzymałością na zmienne warunki pogodowe oraz małą masą. Dzięki tym zaletom znalazły one szerokie zastosowanie w komputerach osobistych, przemysłowych, różnego rodzaju urządzeniach telekomunikacyjnych, czy wojskowych, można je również znaleźć w kasach fiskalnych.
