Półprzewodniki typu p są półprzewodnikami domieszkowanymi akceptorami tj. atomami które mają mniejszą wartościowość od atomów półprzewodnika samoistnego. Półprzewodniki typu p mają więc w swej budowie znacznie więcej dodatnich dziur, które zachowują się jak dodatni ładunek elementarny, niż elektronów.
Warstwa zaporowa – wskutek dyfuzyjnego przepływu elektronów (i dziur) w obszarze granicznym warstwy N/P pozostają nieskompensowane ładunki dodatni W obszarze granicznym warstw P, N powstaje zatem warstwa dipolowa ładunku, wytwarzająca pole elektryczne przeciwdziałające dyfuzji nośników większościowych
Różnica potencjałów może być lepiej zdefiniowana jako różnica energii potencjalnej między dwoma punktami w obwodzie. Wielkość tej różnicy (wyrażona w woltach) określa, ile energii potencjalnej istnieje i może zostać wykorzystane do przemieszczania elektronów z jednego określonego punktu do drugiego.
Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia następuje wstrzykiwanie nośników mniejszościowych do obszarów półprzewodnika po obu stronach złącza. Największa koncentracja tych nośników jest tuż przy granicy złącza, a w miarę oddalania w głąb materiału typu p i typu n koncentracja maleje.
najwazniejsze parametry diod stabilizacyjnych
Uz napiecie znamionowe stabilizacji(V)
Pmax maksymalne dopuszczalne straty mocy
O wspólczynnik temperaturowy zmiany napiecia stabilizacji
rezystancja dynamiczna
wspólczynnik stabilizacja S
Komentarze (0)