Półprzewodniki typu p są półprzewodnikami domieszkowanymi akceptorami tj. atomami które mają mniejszą wartościowość od atomów półprzewodnika samoistnego. Półprzewodniki typu p mają więc w swej budowie znacznie więcej dodatnich dziur, które zachowują się jak dodatni ładunek elementarny, niż elektronów.

 

Warstwa zaporowa – wskutek dyfuzyjnego przepływu elektronów (i dziur) w obszarze granicznym warstwy N/P pozostają nieskompensowane ładunki dodatni W obszarze granicznym warstw P, N powstaje zatem warstwa dipolowa ładunku, wytwarzająca pole elektryczne przeciwdziałające dyfuzji nośników większościowych

Różnica potencjałów może być lepiej zdefiniowana jako różnica energii potencjalnej między dwoma punktami w obwodzie. Wielkość tej różnicy (wyrażona w woltach) określa, ile energii potencjalnej istnieje i może zostać wykorzystane do przemieszczania elektronów z jednego określonego punktu do drugiego.

 

Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia następuje wstrzykiwanie nośników mniejszościowych do obszarów półprzewodnika po obu stronach złącza. Największa koncentracja tych nośników jest tuż przy granicy złącza, a w miarę oddalania w głąb materiału typu p i typu n koncentracja maleje.

 

najwazniejsze parametry diod stabilizacyjnych

Uz napiecie znamionowe stabilizacji(V)

Pmax maksymalne dopuszczalne straty mocy

O wspólczynnik temperaturowy zmiany napiecia stabilizacji

rezystancja dynamiczna

wspólczynnik stabilizacja S