charakterystyki tranzystora bipolarnego
Ze względu na sposób włączenia tranzystora do układu można wyróżnić trzy podstawowe układy jego pracy
- wspólnego emitera (OE)
- wspólnej bazy (OB)
- wspólnego kolektora (OC)
Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora a emitera. Elektroda emiter jest więc niejako „wspólna” dla sygnałów wejściowego i wyjściowego – stąd nazwa układu.
Układ wspólnej bazyWzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy bazy i kolektora.
Układ wspólnego kolektoraWzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a kolektor tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora i emitera. Wzmocnienie napięciowe tego układu jest bliskie jedności, wobec czego na wyjściu wzmacniacza otrzymuje się „powtórzone” napięcie z wejścia, stąd druga powszechnie używana nazwa takich wzmacniaczy – wtórnik emiterowy.
Tranzystory polowe złączowe, znane również jako JFET, charakteryzują się budową zupełnie różną od tranzystorów MOSFET. Składają się z półprzewodnika typu N lub typu P i domieszkowanej warstwy półprzewodnika o przeciwnym typie (P+ oraz N+), co skutkuje powstaniem złącza p-n
Tranzystor polowy ze względu na swoją charakterystykę może pracować w trzech zakresach. Liniowym, w którym prąd drenu zależy od napięcia, dlatego zachowuje się jak rezystor. Nasycenia, kiedy prąd drenu zależy wyłącznie od napięcia na liniach bramka-źródło, a napięcie źródło-dren musi przekroczyć pewną wartość, a także powielania lawinowego.
Zasada działania tranzystora MOSFETtranzystory z kanałem wzbogaconym, w których kanał powstaje po przyłożeniu napięcia między bramkę a źródło
Komentarze (0)