charakterystyki tranzystora bipolarnego

Ze względu na sposób włączenia tranzystora do układu można wyróżnić trzy podstawowe układy jego pracy

  • wspólnego emitera (OE)
  • wspólnej bazy (OB)
  • wspólnego kolektora (OC)
Układ wspólnego emitera

Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora a emitera. Elektroda emiter jest więc niejako „wspólna” dla sygnałów wejściowego i wyjściowego – stąd nazwa układu.

Układ wspólnej bazy

Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy bazy i kolektora.

Układ wspólnego kolektora

Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a kolektor tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora i emitera. Wzmocnienie napięciowe tego układu jest bliskie jedności, wobec czego na wyjściu wzmacniacza otrzymuje się „powtórzone” napięcie z wejścia, stąd druga powszechnie używana nazwa takich wzmacniaczy – wtórnik emiterowy.

Tranzystory polowe złączowe, znane również jako JFET, charakteryzują się budową zupełnie różną od tranzystorów MOSFET. Składają się z półprzewodnika typu N lub typu P i domieszkowanej warstwy półprzewodnika o przeciwnym typie (P+ oraz N+), co skutkuje powstaniem złącza p-n

Tranzystor polowy ze względu na swoją charakterystykę może pracować w trzech zakresach. Liniowym, w którym prąd drenu zależy od napięcia, dlatego zachowuje się jak rezystor. Nasycenia, kiedy prąd drenu zależy wyłącznie od napięcia na liniach bramka-źródło, a napięcie źródło-dren musi przekroczyć pewną wartość, a także powielania lawinowego.

Zasada działania tranzystora MOSFET

tranzystory z kanałem wzbogaconym, w których kanał powstaje po przyłożeniu napięcia między bramkę a źródło